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三洋電機は2009年9月18日、HIT太陽電池の薄型化と高効率化を両立する技術(高電圧接合技術と光の閉じ込め効果改善)を開発。セル厚みを従来比約半分(98μm)としながら変換効率22.8%を達成したと発表した。
三洋電機 研究開発本部 アドバンストエナジー研究所 ソーラーエネジー研究所 丸山 英治氏は、「低コストかつ高性能な太陽電池を開発するには、セルを薄型化しても性能(変換効率)を落とさないことが重要」とし、今回の成功は高効率化・薄膜化というトレードオフの関係にある2つの要求を同時に満たす画期的な技術であることを強調した。
太陽電池はセルを薄型化すれば単純に安くなる(省資源化)わけではなく、厚みが薄くなれば光吸収量が落ち(電流低下)、電圧も低下する(基板表面が薄くなることで適切な保護ができなくなる)。同社が今回発表した新技術はこれら2つの課題を同時に解決する。
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三洋電機 研究開発本部 アドバンストエナジー研究所 ソーラーエネジー研究所
丸山 英治氏
同社では実用サイズにこだわった変換効率の向上を進めているという。今回は「歩留まり、カーフロス、薄膜化を総合的に見て、HIT太陽電池の低コスト化への道が開けた」と説明 |
まずは高電圧接合と呼ばれる技術を開発。HIT太陽電池は発電層の単結晶シリコン基板表面にアモルファスシリコン層を積層することで、電気の素であるキャリア(電荷)が少しでも消滅しないような保護がされている。それにより高い開放電圧を得られることが特長だが、それには単結晶シリコンの表面にいかに低ダメージで、高品質なアモルファスシリコンを作るかが重要となる。同社では今回、デバイス設計時に電圧を重視する構造にすることで、セルが薄くなっても電圧が上昇(0.729から0.743Vに高電圧化)する条件を発見したという。
次に、光の閉じ込め効果を改善するため、薄いセルで吸収する光を最大限に留めておけるよう、単結晶ウエハの表面(凹凸の部分)形状を最適化。さらに、吸収ロスの原因となるアモルファスシリコン層と透明導電膜(TCO)層での光吸収損失も低減したという。
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