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» 2011年02月15日 12時00分 UPDATE

電子ブックレット:動き出すSiCパワー半導体

電力変換用に用いられてきたSi(シリコン)パワー半導体の性能はこれ以上伸びそうにない。このような状況で脚光を浴びているのが、実力でSiを大きく上回るSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)を用いたパワー半導体である。例えば、SiCをインバーターに用いたときの損失は、従来のSi素子を用いたときに比べて1/100になる可能性がある。

[EE Times Japan]
エンジニア電子ブックレット

動き出すSiCパワー半導体

 アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「@IT MONOist」「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。本日はEE Times Japanの記事『動き出すSiCパワー半導体』をお届けします。


動き出すSiCパワー半導体

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電力変換用に用いられてきたSi(シリコン)パワー半導体の性能はこれ以上伸びそうにない。このような状況で脚光を浴びているのが、実力でSiを大きく上回るSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)を用いたパワー半導体である。例えば、SiCをインバーターに用いたときの損失は、従来のSi素子を用いたときに比べて1/100になる可能性がある。

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