ニュース
» 2014年05月21日 21時10分 UPDATE

人とくるまのテクノロジー展2014:デンソーのSiCインバータがさらに進化、出力密度は1.6倍の100kW/lに

デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展2014」において、従来比で約1.6倍となる100kW/l(リットル)の出力密度を達成したSiC(シリコンカーバイド)インバータを披露した。

[朴尚洙,MONOist]
出力密度100kW/lを達成したSiCインバータ

 デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展2014」(2014年5月21〜23日、パシフィコ横浜)において、SiC(シリコンカーバイド)パワーデバイスを用いたインバータ(SiCインバータ)の最新開発成果を披露した。

 SiCインバータは体積が0.75l(リットル)で出力が75kW。出力密度は100kW/lを達成している。「冷却ファンやヒートシンクなどの空冷システム、平滑用コンデンサ、ドライバ回路など、インバータに求められる機能を全てモジュール内に収めた上で達成した出力密度だ」(同社)という。

出力密度100kW/lを達成したSiCインバータ 出力密度100kW/lを達成したSiCインバータ(クリックで拡大)

 同社は、2012年5月の「人とくるまのテクノロジー展2012」で出力密度は60kW/lのSiCインバータを公開している(関連記事:デンソーが小型SiCインバータを披露、出力密度は世界最高水準の60kW/l)。2年間の研究開発を経て、出力密度を67%増やすことに成功した。

 SiCデバイスはトレンチタイプのSiC-MOSFETを使用した。チップサイズは5mm角で、耐圧は1200V、電流容量は100A、オン抵抗は3.5mΩcm2である。ダイオードについては、出力密度が60kW/lのSiCインバータで採用したSiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)に換えて、SiC-MOSFETのボディダイオードを用いている。

SiC-MOSFETと出力密度100kW/lのSiCインバータの仕様 SiC-MOSFETと出力密度100kW/lのSiCインバータの仕様(クリックで拡大) 出典:デンソー

 出力密度100kW/lのSiCインバータの詳細については、米国ハワイ州で開催されるパワー半導体の国際会議「International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs(ISPSD)2014」で発表する予定だ。

Copyright© 2017 ITmedia, Inc. All Rights Reserved.