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» 2014年12月19日 07時00分 UPDATE

FAニュース:東京エレクトロン、次世代半導体向けスパッタリング装置を製品化

新製品「EXIM」は、次世代半導体向けスパッタリング装置。超高真空スパッタ技術を導入した他、新開発の成膜手法で装置稼働率が向上したという。

[MONOist]

 東京エレクトロンは2014年12月1日、次世代半導体向けスパッタリング装置「EXIM」を製品化したと発表した。

 新開発のEXIMは、プロセスモジュールをアプリケーションに応じて自由に配置できる成膜装置。今後さらに複雑化する半導体成膜工程において、開発から量産まで柔軟に対応できるとしている。

 ベースとなる超高真空スパッタ技術を導入した他、新開発の成膜手法で装置稼働率が向上した。また、パーティクル低減と良好な成膜均一性を備え、20層以上の多層膜メモリスタックでは、多層膜の構成によって変動はあるものの、毎時間25枚以上のスループットを可能にした。

 さらに、省エネ電子機器のキーデバイスとして注目される、STT-MRAMなどの次世代デバイスの製造過程の要となる垂直磁化型のMTJ(磁気トンネル接合)で、MR比230%を達成した。MR比は、数値が高いほど大容量のメモリを製造できるという。

 出荷は2015年春の予定で、今後は拡張性と生産性を生かし、アプリケーションを順次拡充していく。

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