ナノインプリント技術を用いた、次世代半導体製造装置を開発：FAニュース

　キヤノンは2015年2月23日、解像力10nm台の高度な微細加工が可能なナノインプリント技術を用いた、次世代半導体製造装置を開発したと発表した。

　先端微細加工領域では、EUV（極端紫外線）を用いた次世代半導体露光装置が主流となっている。同社では、2004年からナノインプリント技術の研究に取り組んできたが、欠陥制御技術の確立や重ね合わせ精度の向上などの技術開発により、2015年内には製品化を目指すという。

　ナノインプリント半導体製造装置は、マスク（原版）をウエハー上のレジスト（樹脂）に直接押し付けることで、マスクに彫りこまれた回路パターンを転写できる。そのため、光露光装置に比べて高解像度で均一性のあるパターンを描くことができるという。また、光露光装置で使用される光源や大口径のレンズ群を不要とし、装置をシンプルでコンパクトな構造にできる。

　さらに、光露光装置に比べて半導体デバイスの製造コストを削減でき、高精細半導体デバイスのCoO低減を求める半導体メーカーのニーズに対応できる。

　装置の導入先は、フラッシュメモリーの製造メーカーを対象とするが、将来的にはDRAMやロジック系半導体の生産への適用も目指す。

開発中のナノインプリント半導体製造装置

クラスター化のイメージ図

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