従来比最大1.5倍の高出力化を可能にしたSiCハイブリッドモジュール：FAニュース
富士電機は、次世代パワー半導体デバイスSiC素子を使用したSBDと、Si素子を使用したIGBTで構成されるハイブリッドモジュールのサンプル出荷を開始した。従来のSiデバイスに比べ、電力変換時の損失を大幅に低減できる。
富士電機は2015年6月29日、次世代パワー半導体デバイスSiC（炭化ケイ素）を搭載した、パワー半導体ハイブリッドモジュールの製品系列を拡大し、サンプル出荷を開始したと発表した。
今回出荷を開始したのは、SiC素子を使用したSBD（ショットキーバリアダイオード）と、Si素子を使用したIGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）で構成されるハイブリッドモジュールとなる。
従来のSiデバイスに比べて電力変換時の損失を大幅に低減し、デバイストータル損失を同社従来機種比で約30％低減した。また、従来のSiデバイスに比べて最大1.5倍の高出力化（1700V品）を可能にしている。
さらに、同社製インバータにおいて単機容量を315kWから450kWへ拡大するなど、装置サイズを変えずに容量拡大が可能なため、設置台数も削減できる。従来と同損失で最大2倍の高周波動作（1700V品）により、フィルタなどの周辺部品も小型化でき、設備の省スペース化にもなるという。
定格電圧は600／1200／1700Vの3種で、インバータ、サーボ、無停電電源装置、パワーコンディショナなどの産業用機器での用途に対応する。
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