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» 2015年07月15日 07時00分 UPDATE

FAニュース:従来比最大1.5倍の高出力化を可能にしたSiCハイブリッドモジュール

富士電機は、次世代パワー半導体デバイスSiC素子を使用したSBDと、Si素子を使用したIGBTで構成されるハイブリッドモジュールのサンプル出荷を開始した。従来のSiデバイスに比べ、電力変換時の損失を大幅に低減できる。

[MONOist]

 富士電機は2015年6月29日、次世代パワー半導体デバイスSiC(炭化ケイ素)を搭載した、パワー半導体ハイブリッドモジュールの製品系列を拡大し、サンプル出荷を開始したと発表した。

 今回出荷を開始したのは、SiC素子を使用したSBD(ショットキーバリアダイオード)と、Si素子を使用したIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)で構成されるハイブリッドモジュールとなる。

 従来のSiデバイスに比べて電力変換時の損失を大幅に低減し、デバイストータル損失を同社従来機種比で約30%低減した。また、従来のSiデバイスに比べて最大1.5倍の高出力化(1700V品)を可能にしている。

 さらに、同社製インバータにおいて単機容量を315kWから450kWへ拡大するなど、装置サイズを変えずに容量拡大が可能なため、設置台数も削減できる。従来と同損失で最大2倍の高周波動作(1700V品)により、フィルタなどの周辺部品も小型化でき、設備の省スペース化にもなるという。

 定格電圧は600/1200/1700Vの3種で、インバータ、サーボ、無停電電源装置、パワーコンディショナなどの産業用機器での用途に対応する。

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