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» 2015年08月24日 07時00分 UPDATE

FAニュース:機器の小型化に対応するIGBTモジュールのサンプル出荷を開始

富士電機はパワー半導体の新製品として、第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュールのサンプル出荷を開始した。1200V耐圧製品からサンプル出荷を開始し、650V/1700V耐圧製品のラインアップを順次拡充する。

[MONOist]

 富士電機は2015年8月5日、パワー半導体の新製品として、第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュールのサンプル出荷を開始した。1200V耐圧製品からサンプル出荷を開始し、650V/1700V耐圧製品のラインアップを順次拡充するという。

 今回発売されるモジュールは、構成要素であるIGBT素子やダイオード素子の厚みを薄くして微細化することで、素子構造を最適化した。これにより、同社従来製品の第6世代「Vシリーズ」に比べ、インバータ動作時の電力損失を低減。搭載機器の省エネと電力コストを削減できる。

 また、新開発の絶縁基板によってモジュールの放熱性が向上し、電力損失の低減と併せて発熱を抑制するため、従来のモジュールに比べて約36%小型化している。さらに、連続動作時の最大保証温度を従来の150℃から175℃にしたことで、搭載機器のサイズを維持しつつ、出力電流を最大35%増やすことができる。

 定格電流は、定格電圧650Vが10〜600A、1200Vが10〜1800A、1700Vが75〜1800A。モジュールの構造・使用材料の見直しにより、高温動作時の安定性や耐久性も向上し、設備・機器の小型・省スペース化、高信頼性のニーズに対応するとしている。

photo 1200V 75A PIM製品

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