第52回 DDR4の市場と技術：前田真一の最新実装技術あれこれ塾（2/4 ページ）

2．DDR3の延命

　DDR4メモリの立ち上がりが遅くなっている理由の1つとして、DDR3メモリの延命があります。

　DDR4メモリはDDR3メモリに比べ、データ転送速度の高速化、消費電力の低減、メモリ容量の増加を目標として規格の開発が行われました。

　当初、DDR3はデータ転送速度が800〜1600Mbps（クロックは400〜800MHz）で、DDR4はデータ転送速度が1600〜3200Mbps（クロックは800〜1600MHz）の範囲の規格として策定されました。また、消費電力についても、DDR3規格では、電源電圧が1.5V、DDR4規格では1.2Vです。

　しかし、DDR4規格の制定やDDR4メモリの普及が進むより早く、1600Mbpsより高速なデータ転送速度を保つメモリの需要が高まってしまいました。また、複雑なDDR4メモリ規格のI/Fを使わなくても実績のあるDDR3メモリ規格のI/Fでも1600Mbps以上のデータ転送が可能であることが判明しました。このため、DDR3メモリ規格では、新たに1866Mbps（933MHz）と2133Mbps（1066MHz）の転送速度の規格が追加されました。

　DDR3メモリの消費電力低減についても電源電圧を1.5Vから10％低減して、1.35Vにしても動作に支障がないことが分かりました。2010年には電源電圧1.35VのDDR3Lメモリ規格が制定されました（表1）。

表1：DDR3、DDR4の電源電圧と速度

　DDR3でも、さらに1.3Vに低電圧化した新規格の検討も行われています。

　このようにDDR3メモリが当初の1600Mbpsから2133Mbpsに高速化されたため、当面は複雑で高価なDDR4メモリではなく、価格も安定しているDDR3メモリで、より高速なシステムに対応できるようになりました。

　このため、DDR4メモリの立ち上がりが遅くなっているのですが、そろそろ、さらに高速で大容量のメモリの需要が高まってきました。