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「28nmプロセス」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「28nmプロセス」に関する情報が集まったページです。

福田昭のデバイス通信(146) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(6):
imecが研究中のシリコンフォトニクス・プラットフォーム
今回は、imecのシリコンフォトニクス・プラットフォームを解説する。このプラットフォームは、200mm(8インチ)あるいは300mm(12インチ)のシリコンウエハーに、ありとあらゆる光部品を作り込もうとするものだ。(2018/5/11)

福田昭のデバイス通信(145) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(5):
光送受信モジュールの技術開発ロードマップ
今回は、実装技術と光送受信モジュール技術のロードマップを解説する。光送受信モジュールの高速化と広帯域化では、波長分割多重(WDM)技術が重要になってくる。(2018/5/7)

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(24):
“お蔵入りチップ”が掘り出し物に? Intel FPGAが示す過去の半導体の価値
Intel FPGAとして発表された「Cyclone 10 LP」。これには、約10年前のプロセスとシリコンが使われている。これは、何を意味しているのだろうか。(2018/4/27)

福田昭のストレージ通信(99)STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(12):
多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術(前編)
多層配線工程の中に記憶素子を作り込むタイプの埋め込み不揮発性メモリ技術について解説する。(2018/4/20)

福田昭のストレージ通信(98)STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(11):
車載用埋め込みフラッシュメモリ技術のまとめ
今回は、本シリーズで、これまで述べてきた車載用埋め込みフラッシュメモリ技術を総括する。(2018/4/13)

製品分解で探るアジアのトレンド(27):
古いプロセスで超高密度に集積、進化する中国のインプリ能力
中国製のドライブレコーダーを分解し、内部のチップを開封すると、中国メーカーがチップを設計する能力、いわゆる“インプリ力”が見えてくる。(2018/4/12)

ルネサス RH850/E2x:
「世界初」で「世界最高性能」、ルネサスから28nm車載マイコン
ルネサスが28nmプロセスを採用したフラッシュメモリ内蔵車載マイコンのサンプル出荷を開始した。28nmプロセス採用のフラッシュメモリ内蔵マイコンのサンプル出荷は「世界初」であり、フラッシュメモリ内蔵車載マイコンの処理性能としても「世界最高」をうたう。(2018/4/10)

福田昭のストレージ通信(96) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(9):
マイコン大手ルネサスの埋め込みフラッシュメモリ技術
今回は、ルネサス エレクトロニクスのマイコン用埋め込みフラッシュメモリ技術「SG(Split Gate)-MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)」を解説する。(2018/3/30)

処理性能は最高9600MIPS:
ルネサス、28nmフラッシュ内蔵マイコンを出荷
ルネサス エレクトロニクスは、28nmプロセス技術を用いたフラッシュメモリ内蔵の車載制御マイコンを開発し、サンプル出荷を始めた。次世代エコカーや自動運転車などに向ける。(2018/3/28)

車載半導体:
「世界初」で「世界最高性能」、ルネサスが28nm車載マイコンをサンプル出荷
ルネサス エレクトロニクスは、28nmプロセスを採用したフラッシュメモリ内蔵車載マイコン「RH850/E2xシリーズ」のサンプル出荷を開始した。28nmプロセス採用のフラッシュメモリ内蔵マイコンのサンプル出荷は「世界初」(ルネサス)、フラッシュメモリ内蔵車載マイコンの処理性能としても「世界最高」(同社)だという。(2018/3/28)

福田昭のストレージ通信(95) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(8):
埋め込みフラッシュIP大手ベンダーSSTのメモリ技術
今回は、SST(Silicon Storage Technology)が開発した埋め込みフラッシュメモリ技術を紹介する。同社は「SuperFlash(スーパーフラッシュ)」と呼んでいるが、その最大の特徴はスプリットゲート方式にある。(2018/3/27)

次期社長兼CEOらが戦略説明:
有機的成長を図るST、2018年日本市場で2桁成長へ
STMicroelectronics(以下、ST)は2018年3月、同社社長兼最高経営責任者(CEO)のCarlo Bozotti氏と、次期社長兼CEO(2018年第2四半期就任予定)のJean-Marc Chery氏が出席し、都内で会見を開催し、成長戦略などを説明した。(2018/3/12)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
「鶏と卵」を抜け出しそうな、Armサーバの現在地
Armといえばスマートフォンから車載、産業機器まで広く使われる組み込み機器向けという印象が強いものの、最近ではサーバ市場での利用を見込む動きも強くなっている。Intelが強みを持つ市場であるが支持の輪は広がっている、その「現在地」とは。(2018/3/12)

10Tbpsのパケット処理性能:
Broadcom、2.5DとHBM2を採用したスイッチSoCを発表
Broadcomは、HBM2と2.5次元(2.5D)構造を採用したスイッチSoC(System on Chip)「Jericho2」を発表した。最大10Tビット/秒(bps)のスループットを実現するという。(2018/3/8)

embedded world 2018:
いよいよ組み込みプロセッサにFinFETを適用 NXP
NXP Semiconductorsは「embedded world 2018」で、14nm FinFETプロセスを適用した組み込み向けの汎用アプリケーションプロセッサ「i.MX 8M Mini」を発表した。NXPは、「これまで主にスマートフォン向けのプロセッサに使われてきたFinFETプロセスが、いよいよ組み込みプロセッサにも適用される」と強調する。(2018/3/7)

高性能で超省エネ:
AIは“人の脳への回帰”でさらに進化する?
AI(人工知能)をさらに発展させるヒントは、人間の脳にあるかもしれない。「ISSCC 2018」で、フランスCEA-Letiに聞いた。(2018/2/21)

福田昭のデバイス通信(137) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(13):
技術講演の最終日午後(その2)、東芝が次世代無線LAN用トランシーバーを発表
「ISSCC 2018」の技術講演を紹介するシリーズ、最終回となる今回は、最終日のセッション28〜31を紹介する。東芝グループは次世代の無線LAN技術「802.11ax」に対応する送受信SoC(System on a Chip)を発表する。その他、114本の短針プローブによって脳神経信号を並列に取得するシステムや、カーボンナノチューブFETとReRAMによる脳型コンピューティング回路などが発表される。(2018/2/8)

小型、低消費電力FPGAを強みに:
エッジコンピューティング、低電力でAI実現
AI(人工知能)技術をベースとしたエッジコンピューティングを次の成長ドライバーと位置付けるLattice Semiconductor。フォーカスする分野は消費電力が1W以下で、処理性能は1テラOPS(Operations Per Second)までのアプリケーションだ。(2018/2/5)

28nm製品が伸び悩み:
UMC、増収見込めず設備投資を大幅削減
台湾の半導体ファウンドリーUMCが、2018年度の設備投資費を大幅に削減する。激しい競争が続く28nmプロセスでの売り上げが伸び悩んだことが要因だ。(2018/1/31)

7nmでシェア100%を狙う?:
堅調なTSMC、5nmのリスク生産は19年Q1にも開始
TSMCは、半導体メーカーのファブライト化や、HPC(High Performance Computing)向けチップの需要の高まりにより、堅調な成長を続けている。7nmや5nmプロセスの開発も順調だとする。(2018/1/24)

福田昭のデバイス通信(132) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(8):
ISSCC技術講演の最終日午前ハイライト(その1)、バラつきに強いオンチップ電源と高速低消費のLDOレギュレーター
「ISSCC 2018」技術講演の最終日、午前は8本のセッションが予定されている。プロセス、電圧、温度、時間経過による変動を補償する電源回路や、低消費電力で高速のLDOレギュレーター技術に関する研究成果が発表される。(2018/1/19)

RISC-V Day 2017 Tokyo:
「RISC-V」はEmbeddedでマーケットシェアを握れるのか
2017年12月に開催された「RISC-V Day 2017 Tokyo」から、著者が注目した4つの講演を紹介する。(2018/1/17)

福田昭のデバイス通信(130) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(6):
ISSCC技術講演の2日目午後ハイライト(その1)、深層学習の高速実行エンジンと超低消費電力のA-D変換器チップ
「ISSCC 2018」2日目午後の技術講演から、見どころを紹介する。SRAMダイとDNN(深層ニューラルネットワーク)推論エンジンを積層した機械学習チップや、消費電力が4.5μWと極めて低い15ビットA-D変換器チップなどの研究論文が発表される。(2018/1/11)

福田昭のデバイス通信(128) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(4):
ISSCC技術講演の2日目午前ハイライト(その1)、強化学習する超小型ロボット、Wi-Fi電波からエネルギーを収穫する回路など
「ISSCC 2018」2日目午前から、注目講演を紹介する。低ジッタのクロック回路技術や、2.4GHz帯のWi-Fi電波からエネルギーを収穫する環境発電回路などについての講演が発表される。(2017/12/26)

福田昭のデバイス通信(127) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(3):
ISSCC技術講演の初日午後ハイライト(その2)、超高速無線LANや測距イメージセンサーなど
「ISSCC 2018」技術講演の初日(2018年2月12日)。午後のハイライトとして、ミリ波無線、イメージセンサー、超高速有線通信をテーマにした注目論文を紹介する。ミリ波無線では「IEEE 802.11ad」に準拠した送受信回路チップが登場。イメージセンサーでは、ソニーやパナソニックが研究成果を披露する。有線通信では、PAM-4によって100Gビット/秒の通信速度を実現できる回路が発表される。(2017/12/21)

中国での売上高の伸びを受け:
TSMC、南京の16nmプロセス工場建設を前倒し
TSMCが中国での生産活動を加速する。中国 南京に工場を建設する計画を前倒しにする予定だ。(2017/12/13)

16/14nm世代MCU 2023年に実用化へ:
ルネサス 100MBのフラッシュマイコン実現にメド
ルネサス エレクトロニクスは2017年12月6日、16nm/14nmプロセス世代以降のフラッシュメモリ内蔵マイコンの実現に向けて、フィン構造の混載フラッシュメモリの大規模動作に成功したと発表した。これにより、次世代マイコンにおいて、100Mバイト超の大容量フラッシュメモリの内蔵化に向けたメドを得ることができたという。(2017/12/6)

福田昭のデバイス通信(123) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(7):
IEDM 2017の講演3日目(12月6日)午前:10nm世代と7nm世代の半導体量産技術
12月6日午前のセッションから、注目講演を紹介する。メモリセルと論理演算を統合することで脳神経回路を模倣する研究の成果や、10nm/7nm世代のCMOSロジック量産技術についての発表が行われる。(2017/11/28)

20品種でファームウェア統一:
Microsemi、新たなHBA/RAIDアダプタ製品群を発表
Microsemi(マイクロセミ)は2017年11月2日、12Gビット/秒(bps)SAS/SATA対応ホストバスアダプター(HBA)、RAIDアダプターの新製品群を発表した。(2017/11/2)

福田昭のストレージ通信(86) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(7):
まとめ:新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム
今回は、強誘電体メモリに関する2つのシリーズ「強誘電体メモリの再発見」と「反強誘電体が起爆するDRAM革命」の要点をまとめる。2011年に二酸化ハフニウム強誘電体が公表されてからの研究成果を振り返るとともに、これからの課題についても触れておきたい。(2017/11/2)

TSMCの売上高でも10%を占める:
10nmプロセスチップの需要、iPhone Xなどで増大
TSMCによれば、10nmプロセスチップのニーズが増大しているという。TSMCにおいて10nmプロセスの売上高は確実に増加していて、2017年7月時点で同プロセスの売上高は全体の10%を占めるまでになっている。(2017/10/24)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
中華MIPS「龍芯」のアーキテクチャから推理する、MIPS買収の「理由」
Imaginationは分割して売却されることになり、MIPS事業は中国系資本の投資会社に買収されることとなった。中国と言えばMIPSのCPU「龍芯」を既に所有しているが、なぜMIPSを買うのだろうか。アーキテクチャから推理する、MIPS買収の「理由」とは何か。(2017/10/16)

イマジネーションが発表:
ニューラルプロセッサIP、AI搭載モバイルを後押し
Imagination Technologies(イマジネーションテクノロジーズ)が、ニューラルネットワークの処理に特化したアクセラレーター「PowerVR 2NX NNA」を発表した。モバイル機器にAI(人工知能)を搭載する動きが進む中、「今後のキーテクノロジーになる」と同社は語る。(2017/9/21)

福田昭のストレージ通信(77) 強誘電体メモリの再発見(21):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)
後編では、二酸化ハフニウム系強誘電体トランジスタ(FeFET)の特性について見ていこう。動作電圧やデータ書き込み時間などは十分に良い特性だが、長期信頼性については大幅な改善が必要になっている。(2017/9/21)

福田昭のストレージ通信(76) 強誘電体メモリの再発見(20):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
今回から、「二酸化ハフニウム系強誘電体材料」を使った強誘電体トランジスタ(FeFET)の研究開発状況を報告する。二酸化ハフニウム系強誘電体薄膜は、厚みがわずか7nm程度でも強誘電性を有することが確認されていて、このため、FeFETを微細化できることが大きな特長となっている。(2017/9/15)

製品分解で探るアジアの新トレンド(20):
ついに車載分野にも浸透し始めた中国製チップ
ひと昔前まで、高品質なチップが要求される車載分野で中国製チップが採用されることは、まずなかった。しかし、今回カーナビゲーションを分解したところ、インフォテインメント系システムにおいては、そんな時代ではなくなっていることを実感したのである。(2017/9/14)

アナログ・デバイセズ 代表取締役社長 馬渡修氏:
PR:「顧客の最も困難な設計課題に挑む」、新生アナログ・デバイセズがスタート
アナログ・デバイセズは、2017年3月にリニアテクノロジーを統合し、新たな一歩を踏み出した。「高性能分野に特化してきたのが、両社の共通姿勢。顧客にさらに付加価値の高いソリューションを提供できるよう、カバー領域をシステムレベルまで広げていく」という同社日本法人社長の馬渡修氏に、新生アナログ・デバイセズの製品戦略などについて聞いた。(2017/8/22)

車載半導体:
自動運転の「判断」のデファクトを狙う、デンソーが半導体のIP設計で新会社
デンソーは、自動運転システムの「判断」を担う半導体IPを設計する新会社を設立する。会社名は「エヌエスアイテクス(NSITEXE)」で、デンソーの完全子会社となる。資本金は1億円。売り上げ目標などは非公表。(2017/8/9)

低電力化の将来に向けて:
PR:低電圧メモリICの有効な活用法
モバイル機器やウェアラブル機器などあらゆる機器は、消費電力を低減するためにデバイス動作電圧の低電圧化が進みつつあります。そうした中で、1.2Vや1.5Vで動作する低電圧メモリが登場しています。今回は、ウィンボンド(Winbond)が展開する低電圧メモリを取り上げながら、低電圧メモリの利点や活用法を紹介しましょう。(2017/8/22)

17年内にもテストチップ:
MIFS、SSTのフラッシュ採用40nm車載半導体提供へ
三重富士通セミコンダクター(MIFS)は2017年8月7日、2017年10〜12月に半導体受託製造事業の顧客に対しSilicon Storage Technology(SST)のフラッシュメモリ技術「SuperFlashメモリ技術」を用いた40nmプロセス車載プラットフォームによるテストチップの提供が可能になると発表した。(2017/8/7)

今後の半導体業界を見据え:
パッケージングとEDAの技術革新が必要 AMDのCTO
AMDは現在、7nmプロセスの実用化に向けて開発を加速している。同社の製品のうち、7nmプロセスを最初に適用するプロセッサは「Zen 2」「Zen 3」の予定だ。AMDのCTOを務めるMark Papermaster氏は、プロセスの微細化や、「ムーアの法則プラス」の時代では、パッケージング技術とEDAツールにおける技術革新が必要になると話す。(2017/7/26)

機械学習向けプロセッサの新版:
Googleが第2世代TPUを発表、処理性能は180TFLOPS
Googleは、機械学習(マシンラーニング)向けのプロセッサ「TPU(Tensor Processing Unit)」の第2世代を発表した。トレーニングと推論の両方に最適化されたもので、処理性能は180TFLOPSになるという。(2017/5/30)

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(16):
ムーアの法則は健在! 10nmに突入したGalaxy搭載プロセッサの変遷
今回はSamsung Electronicsの最新スマートフォン「Galaxy S8+」に搭載されているプロセッサ「Exynos8895」を中心に、Galaxy Sシリーズ搭載プロセッサの進化の変遷を見ていく。そこには、ムーアの法則の健在ぶりが垣間見えた。(2017/5/26)

IoTエッジ市場に注力:
ラティス、28nm FD-SOIのFPGA開発を決断
Lattice Semiconductor(ラティスセミコンダクター)は、IoT(モノのインターネット)エッジ市場に向けた製品展開や事業の方向性を示す中で、28nm完全空乏型SOI(FD-SOI)技術を用いたFPGAのサンプル出荷を2018年中に行う計画であることを明らかにした。(2017/5/22)

技術開発の指針の役割は終えた?:
ムーアの法則、半導体業界はどう捉えるべきか(前編)
台湾Etron TechnologyのCEOであるNicky Lu氏は、「ムーアの法則」は、技術開発の方針としての役目を既に終え、ビジネス的な意味合いの方が強くなっていると述べる。半導体メーカーが今、ムーアの法則について認識すべきこととは何なのか。(2017/5/12)

福田昭のデバイス通信(108) TSMCが解説する最先端パッケージング技術(7):
シリコンインターポーザを導入した高性能パッケージの製品例
シリコンインターポーザを導入したパッケージの製品化時期は、おおむね、2012年の第1期と、2015〜2016年の第2期に分けられる。それぞれの時期を代表する製品例と、それらの特徴を紹介する。(2017/5/8)

サイプレス 組み込みフラッシュメモリ内蔵LSI:
低消費電力の組み込みフラッシュメモリ内蔵LSI
サイプレスセミコンダクタと中国のShanghai Huali Microelectronics Corporationは、SONOS型フラッシュメモリIPと55nm低消費電力(LP)プロセス技術を活用した、低消費電力の組み込みフラッシュメモリ内蔵LSIの初期生産を開始した。(2017/5/2)

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(15):
TSMCの1強時代に幕? “2ファブ・オペレーション”が可能になった14/16nm世代
今回は昨今、発表が相次いでいる新しいGPUのチップ解剖から見えてくる微細プロセス、製造工場(ファブ)の事情を紹介する。チップ解剖したのはNVIDIAの新世代GPUアーキテクチャ「Pascal」ベースのGPUと、ゲーム機「PlayStation 4 Pro」にも搭載されているAMDのGPUだ。(2017/4/25)

スマホの在庫調整で:
TSMCがファウンドリー市場の見通しを下方修正
スマートフォン市場とPC市場の厳しい在庫調整を受け、TSMCが、ファウンドリー市場の成長見通しを下方修正した。(2017/4/19)

電子ブックレット:
ソニー製チップの採用でFD-SOIへの関心高まる?
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、28nm FD-SOIプロセス採用のソニー製GPSチップが中国のスマートウォッチに搭載されたことを紹介する。(2017/4/16)



ビットコインの大暴騰、「億り人」と呼ばれる仮想通貨長者の誕生、マウントゴックス以来の大事件となったNEM流出など、派手な話題に事欠かない。世界各国政府も対応に手を焼いているようだが、中には政府が公式に仮想通貨を発行する動きも出てきており、国家と通貨の関係性にも大きな変化が起こりつつある。

Amazonが先鞭をつけたAIスピーカープラットフォーム。スマホのアプリが巨大な市場を成したように、スマートスピーカー向けのスキル/アプリ、関連機器についても、大きな市場が生まれる可能性がある。ガジェットフリークのものと思われがちだが、画面とにらめっこが必要なスマホよりも優しいUIであり、子どもやシニアにもなじみやすいようだ。

「若者のテレビ離れが進んでいる」と言われるが、子どもが将来なりたい職業としてYouTuberがランクインする時代になった。Twitter上でのトレンドトピックがテレビから大きな影響を受けていることからも、マスメディア代表としてのテレビの地位はまだまだ盤石に感じるが、テレビよりもYouTubeを好む今の子ども達が大きくなっていくにつけ、少なくとも誰もが同じ情報に触れることは少なくなっていくのだろう。