炭素（C）とケイ素（Si）の化合物SiC（炭化ケイ素）を原料に用いた半導体のこと。小型、低損失、高効率、冷却の簡易化が特徴であり、熱伝達度は従来のSi半導体とくらべて約3倍高い。扱える電流密度が高く、素子の小型化が可能となる。
Si素子と比べて、オン抵抗が小さくスイッチング時間が短い。また高温での動作にも適しているため電力変換装置に用いた場合、高い変換効率が得られるという。従って、電気エネルギーを有効活用する素子として期待され、研究が進められている。
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