「トランジスタ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「トランジスタ」に関する情報が集まったページです。

頭脳放談:
第234回 ヤァヤァヤァ、有機トランジスタの時代がやってくる?
東京大学などが有機トランジスタの実用性を向上させる印刷技術を開発したという。有機トランジスタは、既存のシリコントランジスタを置き換えることができるのだろうか?(2019/11/18)

実用レベルの移動度を実現:
東大ら、簡便な印刷法で有機半導体ウエハー作製
東京大学らによる共同研究グループは、実用レベルの有機トランジスタを実現できる有機半導体ウエハーを、簡便な印刷法で作製することに成功した。(2019/11/8)

Beyond-Silicon:
MIT、カーボンナノチューブでRISC-Vプロセッサを開発
米Massachusetts Institute of Technology(MIT)の研究グループが、カーボンナノチューブ(CNT)トランジスタを使った16ビットのRISC-Vマイクロプロセッサの開発に成功したと発表した。業界標準の設計フローとプロセスを適用し、シリコンプロセッサと比べて10倍以上高いエネルギー効率を実現するという。(2019/9/13)

研究開発の最前線:
三菱電機とAISTがダイヤモンド基板GaN-HEMTの開発に成功、無線機器の高効率化に
三菱電機は2019年9月2日、産業技術総合研究所(産総研)と共同で、放熱基板として単結晶ダイヤモンドを用いたマルチセル構造のGaN(窒化ガリウム)-HEMT(高電子移動度トランジスタ)を世界で初めて(同社調べ)開発したと発表した。(2019/9/3)

直接アリール化重縮合法を採用:
東工大、電子輸送型有機半導体高分子を合成
東京工業大学は、直接アリール化重縮合法を用いて、電子輸送型(n型)の有機半導体高分子の合成に成功した。作製した高分子トランジスタは、室温大気環境で長期保存しても性能が安定しているという。(2019/8/13)

Nexperia BAS16TH、BAS21TH、BC807Hシリーズ、BC817KHシリーズ:
定格温度175℃のダイオードとトランジスタ
Nexperiaは、SOT23パッケージを採用した定格温度175℃のダイオードと汎用トランジスタ製品を発売した。AEC-Q101準拠で車載用途に適しており、許容損失が増加していることから、ギアボックスなどの高温設計が可能になる。(2019/7/29)

IGZOと次世代機能性材料を融合:
東大生研、大容量&低消費電力のFeFETを開発
 東京大学生産技術研究所は2019年6月10日、大容量で低消費電力な8nmの極薄IGZOチャネルを有するトランジスタ型強誘導体メモリ(FeFET)を開発した、と発表した。同所は、「IoTデバイスのエネルギー効率が飛躍的に向上し、より高度で充実したネットワーク、サービスの展開が期待される」としている。(2019/6/12)

損失も低減:
Siの限界を突破する! 3300V IGBTの5Vゲート駆動に成功
2019年5月、東京大学生産技術研究所の更屋拓哉助手、平本俊郎教授を中心とする研究グループは、耐圧3300VクラスのシリコンによるIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を、ゲート駆動電圧5Vで動作させることに成功したと発表。2019年5月28日に、東京都内で記者会見を開催し、開発技術の詳細を説明した。(2019/5/29)

電子の数と動きやすさ同時に変化:
理研ら、有機トランジスターで超伝導状態を制御
理化学研究所(理研)らの共同研究グループは、有機物の強相関物質を用いた電気二重層トランジスターを作製し、電子の「数」と「動きやすさ」を同時に変化させることで、超伝導状態を制御することに成功した。(2019/5/15)

ダイオードとトランジスタ:
パナソニックが半導体事業の一部をロームに譲渡
ロームは2019年4月23日、パナソニックから、半導体事業部門であるパナソニック セミコンダクターソリューションズのダイオードおよびトランジスタ事業の一部を譲り受けることを決定したと発表した。(2019/4/23)

アスピレーターの原理を応用:
電力供給なしでトランジスタの電流を増幅
静岡大学電子工学研究所/創造科学技術大学院の小野行徳教授らは、NTTや北海道大学の研究グループと共同で、電力供給なしにトランジスタの電流を増幅させることに成功した。(2018/12/20)

イオン注入ドーピングの適用で:
酸化ガリウムパワー半導体、低コスト化へ前進
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は2018年12月12日、情報通信研究機構(NICT)と東京農工大学が、イオン注入ドーピング技術を用いた縦型酸化ガリウム(Ga2O3)パワー半導体(トランジスタ)の開発に成功したと発表した。「世界初」(NEDO)とする。(2018/12/13)

electronica 2018:
GaNデバイス向けにAEC-Q100の拡張が必要、Exagan
フランスのGaNデバイス専業メーカーExaganは、ドイツ・ミュンヘンで開催された「electronica 2018」(2018年11月13〜16日)で、同社のパワートランジスタ「G-FET」と、GaNゲートドライバー「G-DRIVE」を展示した。(2018/12/4)

福田昭のストレージ通信(123) 3D NANDのスケーリング(11):
垂直方向に並んだセルトランジスタを一気に作る
3D NANDフラッシュ製造におけるキープロセスの1つ、「メモリセルの形成(Cell Formation)」技術について解説する。(2018/11/9)

次世代パワーデバイス:
高速GaNトランジスタ、最適な測定方法とは
GaNトランジスタの出現がもたらしたスイッチング速度の高速化に伴って、優れた測定技術、それとともに高速波形の重要特性を細部まで把握する技術が不可欠になっている。本稿では、測定機器をどのように活用すれば、ユーザーの要求条件および測定技術に適合し、高性能GaNトランジスタを正確に評価することができるかを考察する。(2018/10/26)

NXP MRFX1K80N、MRFX600H、MRFX035H:
スマート産業向け65V LDMOS RFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、スマート産業向けのRFパワートランジスタ、65V LDMOS製品「MRFX」シリーズの新たなラインアップ「MRFX1K80N」「MRFX600H」「MRFX035H」を発表した。(2018/10/22)

無線通信デバイスの高出力化へ:
GaN-HEMTの表面電子捕獲機構を解明、東北大など
東北大学電気通信研究所の吹留博一准教授らは、GaN(窒化ガリウム)を用いた無線通信用高速トランジスタ(GaN-HEMT)の出力低下につながる表面電子捕獲のナノスケール定量分析と、その抑制機構の解明に成功した。(2018/9/11)

90年代から開発着手も:
EUVプロセス開発、けん引役をTSMCに譲ったIntel
技術開発をリードするごくわずかな半導体メーカーは、2019年にはEUV(極紫外線)リソグラフィによって、半導体のトランジスタ密度がその物理的限界にさらに一歩近づくと断言している。かつて世界最大の半導体メーカーだったIntelは、EUVで先頭に立とうとすることを諦めたようだ。(2018/9/7)

従来に比べ効率を0.2%改善:
インフィニオン、IGBTを300mmウエハーで量産
インフィニオンテクノロジーズは、耐圧1200VのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスター)「TRENCHSTOP IGBT6」を発表した。この製品は300mmウエハーを用いて量産する。(2018/8/15)

機器形状数十分の一、コスト半減:
FLOSFIA、MOSFETのノーマリーオフ動作を実証
京都大学発のベンチャー企業が、コランダム構造の酸化ガリウムを用いて、ノーマリーオフ型MOSFET(絶縁効果型トランジスター)の動作実証に成功した。(2018/8/15)

レーダーの観測範囲は2.3倍に:
GaNトランジスタ、出力を従来の3倍に向上
富士通と富士通研究所は、出力を従来の3倍とした、窒化ガリウム−高電子移動度トランジスタ(GaN−HEMT)を開発した。気象レーダーや5G(第5世代無線通信)システムなどの用途に向ける。(2018/8/14)

安価で高感度なセンサーを可能に:
東大、低ノイズの有機トランジスタを作製
東京大学は、ノイズが極めて小さい有機トランジスタを作製することに成功した。安価で高感度のセンサーデバイス開発が可能となる。(2018/7/25)

高集積化への糸口をつかむ:
有機トランジスタで多値演算、フレキシブルデバイスに
物質・材料研究機構(NIMS)国際ナノアーキテクトニクス研究拠点量子デバイス工学グループの若山裕グループリーダーと早川竜馬主任研究員らによる研究グループは2018年7月、有機トランジスタを使った多値論理演算回路の開発に成功したと発表した。(2018/7/4)

NXP MRF101AN、MRF300AN:
汎用パッケージを採用したRFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、汎用的なTO-220、TO-247パワーパッケージを採用したRFパワートランジスタ「MRF101AN」「MRF300AN」を発表した。筐体への垂直実装やプリント配線板(PCB)裏面への実装が可能で、ヒートシンクも簡素化できる。(2018/6/14)

18年後半にはEUV適用の7nmも:
Samsung、3nm「GAA FET」の量産を2021年内に開始か
Samsung Electronicsは、米国カリフォルニア州サンタクララで2018年5月22日(現地時間)に開催したファウンドリー技術の年次フォーラムで、FinFETの後継アーキテクチャとされるGAA(Gate All Around)トランジスタを2021年に3nmノードで量産する計画を発表した。(2018/5/25)

スピントランジスタ実現に道筋:
磁性絶縁体を用いグラフェンのスピン方向を制御
量子科学技術研究開発機構(QST)らの研究チームは、グラフェン回路を用いたスピントランジスタの実現に欠かすことができない、電子スピンの向きを制御する技術を開発した。(2018/4/9)

福田昭のストレージ通信(94) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(7):
STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(後編)
今回は、STMicroelectronicsの1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR eFlash)技術の製造プロセスと、フラッシュ内蔵車載用マイコンの開発史について紹介する。(2018/3/22)

福田昭のストレージ通信(93) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(6):
STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(前編)
今回は、開発各社の埋め込みフラッシュメモリ技術を前後編にわたって紹介する。前編では、STMicroelectronicsが製品化している、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR eFlash)技術を取り上げる。(2018/3/19)

福田昭のストレージ通信(92) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(5):
車載用の埋め込みフラッシュメモリ技術
今回は、大容量、具体的には車載用の埋め込み不揮発性メモリ技術を取り上げる。車載用の不揮発性メモリ技術は、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR Flash)技術と、スプリットゲートフラッシュ技術に大別される。(2018/3/13)

高効率動作と小型化が可能に:
大電流で高耐圧、高速動作のGaNパワーデバイス
パナソニックは、大電流、高電圧での高速スイッチング動作を実現した絶縁ゲート(MIS:Metal Insulator Semiconductor)型GaNパワートランジスターを開発した。(2018/2/27)

新構造のSWITCH-MOSを開発:
耐圧1200V級のオールSiCモジュールを可能に
産業技術総合研究所(産総研)の研究グループらは、耐圧1200V級のショットキーバリアダイオード内蔵SiC(炭化ケイ素)トランジスターを開発し、量産試作品レベルでその性能や信頼性を実証した。【訂正】(2017/12/26)

高出力GaN-HEMTアンプに向けて:
SiCと単結晶ダイヤモンドの常温接合に成功
富士通と富士通研究所は2017年12月7日、SiC(炭化ケイ素)基板に単結晶ダイヤモンドを常温で接合する技術を開発したと発表した。GaN(窒化ガリウム)を用いたHEMT(高電子移動度トランジスタ)パワーアンプの放熱性を高めることのできる技術で、GaN-HEMTの高出力化への貢献が期待される。(2017/12/11)

LSIの低消費電力化に向けて:
量子トンネルFETを酸化物半導体とSi系材料で実現
東京大学大学院工学研究科教授の高木信一氏らは2017年12月4日、極めて小さな電圧制御で動作可能な量子トンネル電界効果トランジスタを開発したと発表した。(2017/12/5)

福田昭のデバイス通信(122) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(6):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午後(その2):次世代トランジスタを狙う負性容量FET技術
12月5日午後の注目講演を紹介する。負性容量トランジスタ、シリコンフォトニクス、非シリコン材料による高耐圧パワーデバイスなどの研究成果が発表される。(2017/11/24)

さらなる大容量通信の実現に向け:
開発が進むテラヘルツ波無線用トランジスタ
NICT(情報通信研究機構)は、テラヘルツ波無線通信向け電子デバイスを開発中だ。ミリ波よりもさらに周波数が高いテラヘルツ波は、より高速、大容量の無線通信を実現できる可能性があるが、これまで、信号を扱うための技術開発があまり進んでいなかった。(2017/11/14)

福田昭のデバイス通信(118) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(2):
IEDM 2017の技術講演初日、高密度ReRAMと紙基板の2次元トランジスタ
技術講演初日である2017年12月4日から、注目の講演を紹介する。抵抗変化メモリ(ReRAM)や、折り曲げ可能な電子回路(フレキシブルエレクトロニクス)関連で、興味深い講演が多い。(2017/11/9)

Intelの10nm、GFの7nm:
最先端プロセスの最新論文が一堂に IEDM 2017
2017年11月に米国で開催される「IEDM」では、IntelやGLOBALFOUNDRIES(GF)が、それぞれの最先端プロセスの詳細を発表するようだ。その他、FinFETに代わる次世代トランジスタ技術に関する論文発表などが相次ぐ。(2017/10/20)

福田昭のストレージ通信(79) 強誘電体メモリの再発見(23):
強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(後編)
前編に続き、二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った強誘電体トランジスタ(FeFET)で多値メモリを実現する仕組みを解説する。特に、2つのドメインで構成されたFeFETの長期信頼性の評価に焦点を当てる。(2017/10/2)

福田昭のストレージ通信(78) 強誘電体メモリの再発見(22):
強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(前編)
今回から2回にわたり、二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する仕組みについて紹介する。(2017/9/26)

福田昭のストレージ通信(77) 強誘電体メモリの再発見(21):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)
後編では、二酸化ハフニウム系強誘電体トランジスタ(FeFET)の特性について見ていこう。動作電圧やデータ書き込み時間などは十分に良い特性だが、長期信頼性については大幅な改善が必要になっている。(2017/9/21)

福田昭のストレージ通信(76) 強誘電体メモリの再発見(20):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
今回から、「二酸化ハフニウム系強誘電体材料」を使った強誘電体トランジスタ(FeFET)の研究開発状況を報告する。二酸化ハフニウム系強誘電体薄膜は、厚みがわずか7nm程度でも強誘電性を有することが確認されていて、このため、FeFETを微細化できることが大きな特長となっている。(2017/9/15)

福田昭のストレージ通信(75) 強誘電体メモリの再発見(19):
従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)
強誘電体トランジスタ(FeFET:Ferroelectric FET)の研究をけん引したのは、日本の産業技術総合研究所(産総研)だった。後編では、産総研が開発したFeFETと、強誘電体不揮発性メモリを、同研究所の成果発表に沿って紹介していこう。(2017/9/12)

磁気力によるイオン輸送を利用:
NIMS、磁場のみで動作するトランジスタ開発
物質・材料研究機構(NIMS)は、磁気でイオンを輸送するという、これまでとは異なる原理で動作するトランジスタを開発した。(2017/9/11)

福田昭のストレージ通信(74) 強誘電体メモリの再発見(18):
従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
強誘電体トランジスタ(FeFET)の原理は比較的単純だが、トランジスタの設計と製造は極めて難しい。1990年代前半から開発が続く中、約30日というデータ保持期間を強誘電体トランジスタで初めて実現したのは、日本の産業技術総合研究所(産総研)だった。(2017/9/7)

福田昭のストレージ通信(73) 強誘電体メモリの再発見(17):
究極の高密度不揮発性メモリを狙う強誘電体トランジスタ
今回は、1個のトランジスタだけでメモリセルを構成できる「FeFET(Ferroelectric FET)」または「強誘電体トランジスタ」について解説する。FeFETは、構造はシンプルだが、トランジスタの設計はかなり複雑になる。(2017/9/5)

既存の微細プロセスを適用可能:
分子を用いた縦型共鳴トンネルトランジスタ
物質・材料研究機構(NIMS)らの研究グループは、分子を量子ドットとして用いた縦型共鳴トンネルトランジスターを作製し、その動作を実証することに成功した。(2017/8/4)

NXP MRF13750H:
67%効率で750Wを出力できるパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、50VシリコンLDMOSをベースにした、915MHzアプリケーション向けパワートランジスタ「MRF13750H」を発表した。915MHz時に、67%の効率で750W出力を提供できる。(2017/7/10)

NXP AFV10700H:
UAV用トランスポンダー向けRF LDMOSトランジスタ
NXPセミコンダクターズは、無人航空機(UAV)用のトランスポンダー向けRF LDMOSトランジスタ「AFV10700H」を発表した。サイズはクレジットカードの約半分と小型ながら、最大700W出力を可能にした。(2017/6/27)

FinFET代替なるか:
IBM、5nmナノシートで画期的成果を発表
IBMなどが積層シリコンナノシートをベースにした新しいトランジスタ(シリコンナノシートトランジスタ)アーキテクチャを開発した。5nmノードの実現に向けて、FinFETに代わる技術として注目される。(2017/6/12)

人工知能ニュース:
210億のトランジスタから構成される、第7世代のGPUアーキテクチャを発表
米NVIDIAは、210億のトランジスタから構成される第7世代のGPUアーキテクチャ「Volta」と、Voltaをベースとしたプロセッサ「NVIDIA Tesla V100 データセンター GPU」を発表した。(2017/5/29)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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クラウドサービスのレビューサイト:ITreview

これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。