車載半導体

ロームは、車載パワートレインシステムや産業機器用電源向けに「1200V 第4世代SiC MOSFET」を開発した。短絡耐量時間を短縮せずにオン抵抗を従来品と比較して約40％、スイッチング損失を約50％低減した。

自動車関連サプライヤーのマレリはGaNを使った次世代パワー半導体を開発するTransphormと電気自動車の新技術開発に向けた戦略的提携を結んだと発表した。