「フラッシュメモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「フラッシュメモリ」に関する情報が集まったページです。

関連キーワード

FMS 2019:
3D NANDの進化が目立つ、市場は回復基調との見方も
2019年8月6〜8日(米国時間)にかけて、米国カリフォルニア州サンタクララで14回目となるメモリ技術関連のカンファレンス「Flash Memory Summit(FMS)」が開催されたが、そこではNAND型フラッシュメモリのベンダーとパートナー各社の積極的な姿勢が目立った。(2019/8/23)

CEO「投資続ける」:
メモリ不況でも強気なMicron、200層3D NANDも視野に
シンガポール工場を拡張したMicron Technology。現在のメモリ市況は低迷し、メモリ減産を発表したMicronではあるが、同社CEOは「投資を続ける」と明言する。200層の3D NAND型フラッシュメモリの製造開始も視野に入れている。(2019/8/21)

NANDも31.7%減と予測、IC Insights:
2019年のIC世界市場予測、DRAM売上高は37.6%減
 米国の市場調査会社IC Insightsは2019年7月31日(現地時間)、2019年のIC製品の世界市場予測を発表した。カテゴリー別の売上高は、DRAMが、IC市場全体の17%を占めてトップを維持するものの、前年比では37.6%減少する見込みだという。また、NAND型フラッシュメモリの売上高は同31.7%減で、IC市場で第3位のカテゴリーになると予測している。(2019/8/21)

最先端技術の移行を加速:
MicronがシンガポールのNANDフラッシュ工場を拡張
Micron Technology(Micron)は2019年8月14日(シンガポール時間)、シンガポールに所有するNAND型フラッシュメモリ生産工場の拡張を完了し、その完成を祝うオープニングセレモニーを開催した。(2019/8/15)

Q&Aで学ぶマイコン講座(47):
フラッシュメモリをEEPROMとして使う"裏技"
マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。47回目は、中級者の方からよく質問される「フラッシュメモリをEEPROMとして使う裏技」についてです。(2019/7/29)

すぐ採用すべきケース、様子見が良いケースの違いは
QLC方式のNAND型フラッシュメモリとは? 正しく知る4つの質問
「QLC」方式のNAND型フラッシュメモリへの関心が高まっている。容量面でのメリットからその将来性まで、よくある4つの疑問について解説する。(2019/7/12)

まだまだニーズが高い:
好調が続くHDD、データセンター向けで新しい動きも
NAND型フラッシュメモリの低価格化や、NVMe(Non-Volatile Memory Express)などSSD関連の技術革新にもかかわらず、HDD市場は依然として好調だ。(2019/7/9)

STマイクロ STM32H7:
Arm Cortex-M搭載の汎用デュアルコアマイコン
STマイクロエレクトロニクスは、Arm Cortex-M搭載の汎用32ビットマイクロコントローラー「STM32H7」を発表した。最大2Mバイトのフラッシュメモリと最大1MバイトのSRAMを内蔵している。(2019/7/2)

特選プレミアムコンテンツガイド
4D NANDも登場 「フラッシュメモリ」注目技術ガイド
フラッシュメモリの技術進化はとどまるところを知らない。ベンダー各社が技術開発にしのぎを削り、さまざまな新技術でフラッシュメモリの容量効率は磁気ディスクに近づく可能性がある。(2019/7/2)

読み出しエネルギーは0.22pJ/b:
ルネサス、SOTBプロセス用低電力フラッシュ技術
ルネサス エレクトロニクスは、65nmのSOTB(Silicon On Thin Buried Oxide)プロセスに混載可能なフラッシュメモリの低消費電力化技術を開発した。(2019/6/14)

工場ニュース:
96層3次元フラッシュメモリの生産へ、東芝メモリとウエスタンデジタルが共同投資
東芝メモリとWestern Digitalは、東芝メモリが建設中の北上工場 第1製造棟において、共同で設備投資を実施する。同製造棟では、2020年から96層3次元フラッシュメモリの生産開始を予定している。(2019/6/5)

車載半導体:
TLC方式の3D NANDフラッシュがeMMCにも、ウエスタンデジタルの新製品
ウエスタンデジタルは2019年5月30日、東京都内で記者説明会を開き、車載向けのNANDフラッシュメモリの新製品「iNAND AT EM132 EFD」を発表した。自動運転技術の採用やコネクテッド化で高容量ストレージへの需要が高まっていることに対応する。(2019/6/3)

増大する車載ストレージに対応:
64層3D NANDを用いた256GBの車載用eMMC、WDが発表
Western Digital(ウエスタンデジタル)は2019年5月30日、車載向けとして、TLC(Triple Level Cell)タイプの64層3D NANDフラッシュメモリを搭載したeMMCの新製品「Western Digital iNAND AT EM132 EFD(以下、iNAND AT EM132)」を発表した。(2019/5/31)

似て非なる両者を比較
いまさら聞けない「フラッシュメモリ」と「DRAM/SRAM」の違いは?
「半導体メモリ」という言葉でひとくくりにされることもある「フラッシュメモリ」と「DRAM/SRAM」。だがこの2種類のメモリは全くの別物だ。両者の違いを整理する。(2019/4/23)

週末アキバ速報:
税込み7770円のDDR4 16GBキットが飛ぶように売れる 新元号決定セールも好調
4月に入って新年度迎えた今週末は、引き続きDDR4メモリの特価が目立っている。また、新元号決定記念セールを実施するショップも数多い。平成の終わりはフラッシュメモリ関連が安い!(2019/4/6)

Q&Aで学ぶマイコン講座(45):
フラッシュメモリにはウェイトステートがなぜ必要なのか
マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。45回目は、初心者の方からよく質問される「フラッシュメモリのウェイトステート」についてです。(2019/3/28)

福田昭のストレージ通信(139) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(2):
NANDフラッシュメモリのスケーリング論
2018年8月に開催された「フラッシュメモリサミット」から、半導体メモリの技術動向に関する講演の内容を紹介するシリーズ。今回は、次世代メモリが期待される3つの理由のうち、スケーリング(微細化または高密度化)について解説する。(2019/3/25)

福田昭のストレージ通信(138) 半導体メモリ技術動向を総ざらい(1):
現行世代メモリと次世代メモリの違い
フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」。最近のFMS(2018年8月に開催)で公表された情報の1つに、半導体市場調査会社MKW Venture Consulting, LLCでアナリストを務めるMark Webb氏が「Annual Update on Emerging Memories」のタイトルで述べた、半導体メモリの技術動向に関する講演がある。その内容が興味深かったので、講演の概要をシリーズでお届けする。(2019/3/15)

TDK HVC4420F:
診断機能の高い組み込みモーターコントローラー
TDKは、64Kバイトのフラッシュメモリと4KバイトのSRAMを備えた、車載用組み込みモーターコントローラー「HVC 4420F」を発表した。スマートアクチュエーターにおける拡張された診断機能により、自動車メーカーの要件に対応する。(2019/3/8)

高速かつ大容量の両立を可能に:
東芝、SSD向けにPAM4採用のブリッジチップ開発
東芝は、SSD(Solid State Drive)内に組み込まれるフラッシュメモリとコントローラICの間に挿入するブリッジチップを開発した。SSDにおいて高速化と大容量化の両立を可能にする技術である。(2019/2/26)

新開発のSR‐BIST機能も搭載:
車載制御マイコン、ハードによる仮想化が可能に
ルネサス エレクトロニクスは、次世代の車載制御マイコンに向けて、ハードウェアによる仮想化支援機構や、スタンバイ‐レジューム自己故障診断(SR‐BIST)機能などを開発した。フラッシュメモリ混載28nm低電力プロセスを用いてテストチップを試作し、これらの機能について動作を確認した。(2019/2/21)

セキュアなWi-Fi接続も簡単:
PR:あれもこれもできる! 高性能IoT端末向けマイコン「PSoC 6」に2MBフラッシュ品が登場
サイプレス セミコンダクタはこのほど、Wi-Fiなどの無線通信に対応するIoT機器に向けたマイクロコントローラ「PSoC 6 MCU」の製品ポートフォリオを拡大し、2Mバイト容量のフラッシュメモリ、1MバイトのRAMを搭載し、IoT機器でより高度な処理が行えるよう機能強化した新製品を投入した。これにより、Wi-Fi対応のスマート家電やスマートスピーカーなどインテリジェントなIoT機器の主要機能をPSoC 6 MCU 1チップで担えるようになった。(2019/2/12)

福田昭のストレージ通信(134) 半導体メモリの勢力図(5):
既存のメモリと次世代のメモリを比較する
今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化メモリ)といったエマージング・メモリ(次世代メモリ)の特徴を比較する。(2019/2/8)

福田昭のストレージ通信(133) 半導体メモリの勢力図(4):
鈍化するNANDフラッシュとDRAMの市場成長
今回は、NANDフラッシュメモリとDRAMの市場成長と価格変動について取り上げる。後半では、プレーナー型NANDフラッシュと3D NANDフラッシュの製造コストを比較する。(2019/2/1)

福田昭のストレージ通信(132) 半導体メモリの勢力図(3):
NANDフラッシュメモリの事業収益と価格の推移を振り返る
今回は、NANDフラッシュメモリの現在の市況について説明する。具体的には、供給過剰だった2016年前半から、品不足による価格上昇を経て、需給バランスの緩和で値下がりが始まった2018年までの動きを見る。(2019/1/25)

福田昭のストレージ通信(130) 半導体メモリの勢力図(1):
DRAMとNANDフラッシュのベンダー別シェア
2018年に開催された「フラッシュメモリサミット」では、さまざまな講演が行われた。今回から始まるシリーズでは、半導体メモリ市場を分析した講演「Flash Market Update 2018」の内容を紹介する。(2019/1/10)

東芝メモリ、96層3次元フラッシュメモリを採用した1TB NVMe SSDを発表
東芝メモリは、96層3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を採用したシングルパッケージ設計の1TB NVMe SSD「BG4」シリーズを発表した。(2019/1/9)

福田昭のストレージ通信(128) 3D NANDのスケーリング(14):
メモリホールにおけるエッチングと成膜の難度を軽減する2つの手法
3D NANDフラッシュメモリの高密度化と大容量化を実現する手法について、技術的な難度を低減する2つの方法を解説する。(2018/12/21)

福田昭のストレージ通信(127) 3D NANDのスケーリング(13):
3D NANDの高密度化を支えるペア薄膜のスケーリング手法
「IMW(International Memory Workshop)」のショートコースから、3D NANDフラッシュメモリ技術に関する講座を紹介するシリーズ。今回からは、3D NANDフラッシュの高密度化と大容量化の手法(スケーリング手法)と、時間的なスケジュール(ロードマップ)をご紹介していく。(2018/12/14)

速度、大きさ、容量はどうなるのか
東芝メモリ、YMTC、SK Hynixが語る、NANDフラッシュメモリの最新テクノロジー
本稿ではNANDフラッシュメモリの新技術について解説する。東芝メモリの「XL-Flash」、Yangtze Memory Technologiesの「Xtacking」、SK Hynixの「4D NAND」を取り上げる。(2018/12/11)

QLC SSDを採用した大容量SSDの性能は? 「Samsung SSD 860 QVO」徹底検証
QLC NANDフラッシュメモリを採用したSSDは大容量を低コストで実現できるのが特徴だ。しかし、現時点ではあまりお勧めできないかもしれない――その性能を検証した。(2018/11/29)

コスト、サイズ、スピード、消費電力、セキュリティ:
PR:インダストリー4.0の新たな要件を満たすために、シリアルフラッシュテクノロジーはどのように進化すべきか
インダストリー4.0は、不揮発性メモリにも新たな要件を満たすように求めています。そこで、システム設計者がインダストリー4.0に向けた新しい機器設計を実装する際に役立つ、フラッシュメモリ製品の最新技術革新について紹介します。(2018/11/13)

NANDフラッシュメモリで:
CypressとSK Hynix System ICが合弁事業
Cypress Semiconductorは、SK Hynix System ICとNANDフラッシュメモリの合弁事業を始める。合弁会社は本社を香港に置き、SK Hynix System ICが60%、Cypressが40%の株式を保有する。(2018/10/30)

車載半導体:
自動車が必要とする1TBのフラッシュメモリの実現へ、従来比2.5倍の高速処理も
ウエスタンデジタルは2018年10月18日、車載用NAND型フラッシュメモリの新製品「iNAND AT EU312 UFS EFD」を発表した。(2018/10/24)

福田昭のストレージ通信(119) 3D NANDのスケーリング(7):
メモリセルアレイのベースとなるマルチペア薄膜の形成
3D NANDフラッシュメモリの製造プロセスにおける重要な技術の一つであるマルチペア(Multi-pair)薄膜の成膜(Deposition)」を解説する。(2018/10/22)

「学研 まんがでよくわかる」シリーズに“フラッシュメモリのひみつ” 東芝メモリが協力 ネットで無料公開
現代社会において、必要不可欠な技術です。(2018/10/15)

福田昭のストレージ通信(118) 3D NANDのスケーリング(6):
3D NANDフラッシュ製造のカギとなるプロセス技術
今回は、3D NANDフラッシュメモリの製造プロセスにおける重要な技術(キープロセス)について解説する。(2018/10/9)

2018年9月から量産開始:
東芝メモリ四日市工場の3次元フラッシュメモリ向け第6製造棟が完成
東芝メモリとウエスタンデジタルは、3次元フラッシュメモリを製造する東芝メモリ四日市工場の第6製造棟とメモリ開発センターの竣工式を行ったと発表した。(2018/9/27)

好況、不況を繰り返す:
DRAM市場、2018年は好調も2019年以降は低迷か
実績あるメモリ技術は、これまで長い間、好況と不況のサイクルを繰り返してきた。3D(3次元) NAND型フラッシュメモリの価格が下落しても、DRAMはまだ堅調な成長を遂げている。しかし、その状況はどれくらいの間続くのだろうか。(2018/9/26)

サーバ1台で10台分のインメモリ性能:
サーバ主記憶の拡張技術で処理性能が3.6倍に――富士通が実証実験
富士通研究所と富士通は、フラッシュメモリを利用してサーバの主記憶容量(DRAM)を仮想的に拡張する技術「MMGIC」の実証実験をインドSify Technologiesの協力を得て実施した。その結果、同技術を適用すると、サーバ1台で10台分と同等の処理性能を発揮することを確認した。(2018/9/20)

福田昭のストレージ通信(116) 3D NANDのスケーリング(4):
3D NANDフラッシュメモリの断面構造と製造工程
2018年5月に開催された国際会議「IMW」で行われたセミナー「3D NAND技術とそのスケーリングに関する材料とプロセス、製造装置の展望」の概要をシリーズで紹介している。今回は、3D NANDフラッシュメモリの断面構造と、メモリセルアレイの製造工程を解説しよう。(2018/9/20)

96層NANDフラッシュを製造:
東芝メモリ、四日市工場第6製造棟での量産を開始
東芝メモリとWestern Digitalは2018年9月19日、東芝メモリ四日市工場(三重県四日市市)の新製造棟「第6製造棟」が完成し、同製造棟で3次元構造のNAND型フラッシュメモリ(以下、3D NANDフラッシュ)の量産を開始したことを発表した。(2018/9/19)

高性能1GbitシリアルNAND:
PR:車載ディスプレイアプリケーションに最適な高容量フラッシュメモリが登場
インストルメントクラスタなど車載ディスプレイでは、よりリッチなグラフィックス表示が求められている。それに伴い、車載ディスプレイで使用する不揮発メモリの大容量化が必要になっている。そうした中で、読み出し速度、信頼性、互換性という車載ディスプレイの必須要件を満たした大容量NANDフラッシュが登場した。(2018/9/12)

福田昭のストレージ通信(114) 3D NANDのスケーリング(2):
2D NANDフラッシュの限界と3D NANDフラッシュへの移行
今回は、2D NANDフラッシュメモリの記憶容量が拡大していった経緯と、2D NANDフラッシュ技術から3D NANDフラッシュ技術への転換について解説する。(2018/8/31)

エレ企業の投資、岩手に相次ぐ:
東芝メモリ、同社最大設備の岩手「新製造棟」を起工
東芝メモリは2018年7月24日、準備を進めてきた岩手県北上市でのNAND型フラッシュメモリ「新製造棟」について起工式を行ったと発表した。2019年秋の完成を見込んでいる。(2018/7/24)

東芝、96層フラッシュを採用したクライアント向けNVMe SSDの出荷を開始
東芝は、96層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを搭載するSSDを開発、一部OEM顧客向けの出荷を開始する。(2018/7/24)

仕組みやメリットを比較
NAND型フラッシュメモリの「チャージトラップ」と「フローティングゲート」の違い
「チャージトラップ」方式のNAND型フラッシュメモリは、旧式の「フローティングゲート」方式と比べて何が優れているのか。現状の課題は。(2018/7/19)

iPhoneのデータをバックアップできるフラッシュメモリ サンディスクの「iXpand Compact」発売
ウエスタンデジタルは、7月6日にサンディスク製「iXpand Compact フラッシュドライブ」の出荷を開始。LightningコネクタとUSB 3.0対応コネクタを搭載し、iPhone/iPad内のデータを簡単にバックアップすることができる。容量は32GB・64GB・128GBをラインアップする。(2018/7/6)

福田昭のストレージ通信(108) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(8):
磁気トンネル接合(MTJ)におけるSRAM代替用とフラッシュ代替用の違い
SRAM代替用MRAMとフラッシュメモリ代替用MRAMでは、磁気トンネル接合(MTJ)の特性がどのように異なるのだろうか。(2018/7/6)

NANDフラッシュメモリ使いこなし術:
PR:なぜ組み込みシステムにNANDフラッシュメモリが注目されるのか、その理由と実装の注意点
高機能化する組み込みシステムに大容量のメモリが求められるようになり、NORフラッシュメモリからNANDフラッシュメモリへの置き換えが始まっている。組み込みシステムでシリアルNANDフラッシュメモリが選ばれ始めた理由と実装時の注意点を、ウィンボンドの「W25N01GVZEIT」を例に解説する。(2018/6/22)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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クラウドサービスのレビューサイト:ITreview

これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。